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IXYS可控硅結構

日期:2021-06-08 04:59
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摘要:
IXYS可控硅結構
      大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,IXYS可控硅它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
      以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管*初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR.
      在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態.
      可控硅(IXYS可控硅)能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此功率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用.

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